详细介绍
品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
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应用领域 | 能源,电子/电池,电气 |
闯贰惭-础搁惭300贵2原子分辨率分析型电子显微镜主要特点
1. FHP2 新型物镜极靴
保证超高空间分辨率观察的同时,优化贵贬笔物镜极靴的形状以满足大尺寸双厂顿顿蝉(158尘尘2)的需求,虫射线有效检测效率提高了两倍以上,实现亚埃级分辨率的贰顿厂元素面分析。
闯贰惭-础搁惭300贵2原子分辨率分析型电子显微镜
2. 新型屏蔽体
罢贰惭柱采用箱式外壳,可减少温度、气流、噪声等环境变化的影响,从而提高显微镜的稳定性。
3. ETA 校正器 & JEOL COSMO™
快速准确的像差校正
4. 稳定性提高
颁贵贰骋采用小型厂滨笔泵,快速提高真空度,提高了发射体附近的真空、发射电流、探针电流的稳定性。其他改进也提高了显微镜的稳定性和对各种干扰的抵抗力。
5. OBF System (可选件) *
在新的成像方法“OBF STEM(最佳明场 STEM)"中,通过分段式 STEM 探测器获取的原始图像被用作相位图像重建的来源,并使用专用的傅里叶滤波器来所恢复图像的信噪比。这种有前景的方法即使在极低的电子剂量条件下也能实现重元素和轻元素的更高对比度。对于标准 ADF 和 ABF STEM 方法难以观察的对电子束敏感的材料,也可以在广泛的放大倍数范围内以更高的对比度轻松进行分析。K. Ooe, T. Seki, et al., Ultramicroscopy 220, 113133 (2021)
6. STEM 低剂量成像
包括金属有机框架(MOFs)和沸石在内的对电子束敏感的材料需要降低电子剂量(通常,探针电流< 1.0 pA),同时保持轻元素框架的清晰原子对比度。对于此类低剂量实验,OBF STEM 具有优势,能够实现原子分辨率下的超高剂量效率 STEM 成像。
OBF STEM 图像 MOF MIL-101(左)和 MFI 沸石(右)均在单次拍摄中获得,右插图中的 FFT 图案也能观察到 1 埃的高空间分辨率。此外,堆叠图像平均(左插图)证实了分辨率和对比度达到了很好的平衡。
左图:Sample : MOF MIL-101
Instrument : JEM-ARM300F2,Accelerating Voltage : 300 kV,Convergence Semi-angle : 7 mrad,Probe current : < 0.15 pA,(Insets) FFT pattern and 50 frames averaged image
右图:Sample : MFI Zeolite
Instrument : JEM-ARM300F2,Accelerating Voltage : 300 kV,Convergence Semi-angle : 16 mrad,Probe current : 0.5 pA,(Insets) FFT pattern
Sample courtesy of Prof. Zhenxia Zhao, Guangxi University
7. 高对比度轻元素成像
除了具有很高的剂量效率外,OBF STEM 在轻元素成像方面也具有优势。即使在较低的加速电压下,也能实现轻元素的高对比度和高空间分辨率成像。
左图:Sample : GaN [110]
Instrument : JEM-ARM200F,Accelerating Voltage : 60 kV,Convergence Semi-angle : 35 mrad
右图:Sample : Graphene
Instrument : JEM-ARM200F,Accelerating Voltage : 60 kV,Convergence Semi-angle : 35 mrad
对于轻元素而言,更高的加速电压能显着提高其分辨率。
在复杂结构内部或沿高指数晶轴方向,每个原子列现在都能以深亚埃级的分辨率清晰分离。
在低剂量条件下,OBF STEM 的质量非常出色,在配备 Cs 校正器的电子显微镜的标准探针条件下,其质量还能进一步提升。
EDS图片集
1. Cerium(IV) Oxide nano particle(Mn-doped) @300kv,27pA(128*128像素)
2. Silicon Nitritde@300kv, 33pA(256*256像素)
3. MnAl-Garnet@300kv, 12pA(256*256像素)
4. CaMg-Pyroxene@300kv(256*256像素)
5. CaFe-Pyoxene/CaMg-Pyroxene@300kv(256*256像素)
6. Pd/Pt Core-shell nano particle on carbon support@200kv, 12pA(128*128像素)
7. Tungsten(IV) Sulfide@80kv, 30pA(256*256像素)
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